半导体装置制造方法及图纸

半导体装置(1)具备：半导体层(40)；第1纵型MOS晶体管(10)及第2纵型MOS晶体管(20)，形成于半导体层(40)；金属层(30)，与半导体层(40)的背面侧整面接触连接；以及支承体(42)，经由导电性粘接剂(41)而与金属层(30)的背面侧接合；在平面观察中，支承体(42)比半导体层(40)面积大，并且将半导体层(40)包含在内；支承体(42)的厚度比半导体层(40)的厚度大；在包括平面观察中的半导体层(40)的中心和半导体层(40)的外周的、半导体装置(1)的剖视中，从半导体装置(1)去除了支承体(42)及导电性粘接剂(41)而得的半导体芯片(2)是向远离支承体(42)的方向凸的弯曲形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置，特别是涉及芯片尺寸封装型的半导体装置。

技术介绍

1、以将锂离子电池从过充电或/及过放电中保护的目的，使用能够用1个芯片控制双向的导通的双重(dual)结构的纵型mos晶体管。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利第4616413号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、为了降低双重结构的纵型mos晶体管的导通电阻，双重结构的纵型mos晶体管(以下，也将双重结构的纵型mos晶体管称作“半导体芯片”)优选的是平面观察中的面积较大、半导体衬底较薄的构造。但是，在这样的构造下，半导体芯片的翘曲变大，此外半导体芯片的强度下降。在专利文献1中，公开了经由导电性粘接剂将印刷电路基板向刚性的金属板粘贴的构造。

3、于是，本公开的目的在于提供半导体装置，该半导体装置在经由导电性粘接剂粘贴刚性的金属板的构造下具备能够提高密接度的双重结构的纵型mos晶体管。

4、用来解决课题的手段p>

5、为了解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

8.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.如权利要求3所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：今村武司，平子正明，大桥卓史，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：