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本发明公开了一种半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、第一上包覆层、电子阻挡层、第二上包覆层，所述下包覆层与下波导层之间具有第一跳模抑制层；所述第一上包覆层与上波导层之间具有第二跳模抑制层；所述电子阻挡...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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