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本发明公开了一种T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器及制备方法，传感器包括：衬底层；依次设置于衬底层上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；圆环形P型GaN层位于势垒层的中间区域上；阳极凹槽位于圆环形P型GaN层的圆环里，并贯穿势垒层直至沟道层...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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