一种T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器及制备方法，传感器包括：衬底层；依次设置于衬底层上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；圆环形P型GaN层位于势垒层的中间区域上；阳极凹槽位于圆环形P型GaN层的圆环里，并贯穿势垒层直至沟道层内；圆环形阴极凹槽，环绕圆环形P型GaN层且与圆环形P型GaN层间隔一定距离，并贯穿势垒层直至沟道层内；第一绝缘层位于势垒层上、圆环形P型GaN层上，以及阳极凹槽的底部和侧壁上；MIS接触的T型凹槽阳极，位于阳极凹槽内及圆环形P型GaN层上方的第一绝缘层上；圆环形阴极位于圆环形阴极凹槽内及圆环形阴极凹槽周围的第一绝缘层上。本发明专利技术具有较高的温度灵敏度、可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于温度传感器领域，具体涉及一种t型凹槽阳极gan mis温度传感器及制备方法。

技术介绍

1、近年来，gan hemt器件是高频电能变换应用的核心器件，近年来在电动汽车、新能源领域有着大量的应用，但新型应用对gan基hemt器件的可靠性要求更高。随着gan hemt器件在高功率和高频应用中的广泛应用，对其运行环境的监测和控制需求也逐渐增加。温度是影响gan hemt功率器件性能和可靠性的关键因素之一。因此，集成化的gan温度传感器应运而生。

2、通过在同一氮化镓hemt芯片上gan温度传感器，不仅可以降低系统的复杂性和成本，还能提高系统的响应速度和测量精度，从而有效监测和控制gan hemt器件的运行状态，避免gan hemt器件在过高温度下运行而失效。由于反向电流大小随温度剧烈变化，这可能导致任何可能正在使用的传感电路出现问题，温度传感器二极管的漏电流过大会使电路可靠性降低，进入高阻抗电路的泄漏路径会导致错误读数，因此必须在器件或电路设计中加以考虑。

3、但是，由于全氮化镓集成电路发展起步较晚，对于可集成温度传感器的研本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器，其特征在于，所述GaN MIS温度传感器包括：

2.根据权利要求1所述的T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为1nm～4nm。

3.根据权利要求1所述的T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为AlN或Al2O3。

4.根据权利要求1所述的T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器，其特征在于，所述GaN MIS温度传感器还包括：

5.根据权利要求4所述的T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为200nm～...

【技术特征摘要】

1.一种t型凹槽阳极gan mis温度传感器，其特征在于，所述gan mis温度传感器包括：

2.根据权利要求1所述的t型凹槽阳极gan mis温度传感器，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为1nm～4nm。

3.根据权利要求1所述的t型凹槽阳极gan mis温度传感器，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为aln或al2o3。

4.根据权利要求1所述的t型凹槽阳极gan mis温度传感器，其特征在于，所述gan mis温度传感器还包括：

5.根据权利要求4所述的t型凹槽阳极gan mis温度传感器，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为200nm～250nm。

6.根据权利要求4所述的t型凹槽阳极gan mis温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁嵩，邓超凡，江希，严兆恒，赵云宣，董浩，弓小武，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：