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本公开涉及用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极接触结构。集成电路晶体管器件包括提供漏极的半导体衬底、半导体衬底中的提供源极的第一掺杂区域和掩埋在半导体衬底中的提供主体的第二掺杂区域。沟槽延伸到半导体衬底中并穿过第一和第二掺杂区域...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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