【技术实现步骤摘要】
本文的实施例大体上涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件，具体而言涉及用于具有分离栅极配置的沟槽型功率mosfet的栅极接触结构，该分离栅极配置包括通过多晶氧化物区域横向间隔开并且通过多晶硅栅极桥电耦合的一对多晶硅栅极凸角(lobe)。
技术介绍
1、图1示出了功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件50的横截面。在该示例中，mosfet是在掺杂有n型掺杂剂的半导体衬底52中和半导体衬底52上形成的n沟道(nmos)型器件，其提供晶体管50的漏极。衬底52具有正面54和背面56。多个沟槽58从正面54沿着深度延伸到衬底52中。沟槽58沿着垂直于横截面的方向(即，进出图示页面)纵向(即，纵向地)彼此平行地延伸，并且形成条带(这种类型的晶体管器件通常在本领域中被称为条形fet型晶体管)。
2、掺杂有p型掺杂剂的区域64被掩埋在衬底52中与正面54偏移(即，下方)的深度处，并且被定位在每个沟槽58的相对侧平行于正面54延伸。掺杂区域64形成晶体管的主体(沟道)区域，沟槽58完全穿过掺杂主体区域64并且进入...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽中的所述第一多晶硅材料的剩余部分形成晶体管场板电极，并且其中所述第二多晶硅材料形成晶体管栅极电极。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述半导体衬底掺杂有第一导电类型，所述方法进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述半导体衬底形成晶体管漏极，所述第一掺杂区域形成晶体管源极，并且所述第二掺杂区域形成晶体管主体。
5.根据权利要求4的方法，进一步包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述晶体管栅极电极的所述第二多晶硅材料包括在所述...
【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽中的所述第一多晶硅材料的剩余部分形成晶体管场板电极，并且其中所述第二多晶硅材料形成晶体管栅极电极。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述半导体衬底掺杂有第一导电类型，所述方法进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述半导体衬底形成晶体管漏极，所述第一掺杂区域形成晶体管源极，并且所述第二掺杂区域形成晶体管主体。
5.根据权利要求4的方法，进一步包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述晶体管栅极电极的所述第二多晶硅材料包括在所述多晶氧化物材料的一侧上的第一栅极凸角，在所述多晶氧化物材料的相对侧上的第二栅极凸角，以及在所述多晶氧化物材料上方延伸的栅极桥。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
8.一种方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述沟槽中的所述第一多晶硅材料的剩余部分形成晶体管场板电极，并且其中所述第二多晶硅材料形成晶体管栅极电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述晶体管栅极电极的所述第二多晶硅材料包括在所述多晶氧化物材料的一侧上的第一栅极凸角，在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·G·卡斯托里纳，阮文征，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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