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本发明公开了一种击通电阻链式硅漂移探测器，包括基体，基体上表面中心通过掺杂形成圆形阳极、漂浮阴极同心环和击通电阻链；击通电阻链环绕圆形阳极，漂浮阴极同心环环绕击通电阻链分布；基体下表面整面为底面阴极，底面阴极下方覆盖底面阴极铝电极接触层；击...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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