【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅探测器，特别是涉及一种击通电阻链式硅漂移探测器的方法。
技术介绍
1、硅漂移探测器(silicon drift detectors，sdd)非常适合应用在高速率和高能量分辨率的环境下。由于其读出阳极很小，即使是几毫米的大像素尺寸也能使整体电容保持在几百ff的水平，从而实现低串行噪声，这反过来又允许短的能量滤波器整形时间，并有利于提高测量速率。
2、通常，sdd用于x射线测量。例如sdd在光k介子原子x射线光谱学中起着关键作用，利用其出色的能力提取由kn强相互作用引起的原子能级的位移(ε)和宽度(γ)。这些可观测值是理解奇异区非摄动量子色动力学的基本量，具有从粒子物理和核物理到天体物理学的影响。另外在氚研究无菌-活性中微子混合(tristan)项目的框架下，基于硅漂移探测器技术的第一个原型探测器已经开发和测试。基于大质量带电粒子和光子的能量沉积分布是不同的，探测器将用于高精度电子能谱。与x射线的应用相反，在入口窗口的不敏感区域的能量损失和探测器表面的后向散射的影响对电子的检测起主要作用。
3、传统s...
【技术保护点】
1.击通电阻链式硅漂移探测器，包括基体(4)，其特征在于，基体(4)上表面中心通过掺杂形成圆形阳极(3)、漂浮阴极同心环(2)和击通电阻链(1)；击通电阻链(1)环绕圆形阳极(3)，漂浮阴极同心环(2)环绕击通电阻链(1)分布；基体(4)下表面整面为底面阴极(9)，底面阴极(9)下方覆盖底面阴极铝电极接触层(10)；击通电阻链(1)上方一端覆盖击通电阻链后端铝电极接触层(5)，另一端覆盖击通电阻链前端铝电极接触层(6)，圆形阳极(3)上方覆盖阳极铝电极接触层(7)；探测器上方未覆盖铝电极接触层的部分覆盖二氧化硅绝缘层(8)。
2.根据权利要求1所述的击通电...
【技术特征摘要】
1.击通电阻链式硅漂移探测器，包括基体(4)，其特征在于，基体(4)上表面中心通过掺杂形成圆形阳极(3)、漂浮阴极同心环(2)和击通电阻链(1)；击通电阻链(1)环绕圆形阳极(3)，漂浮阴极同心环(2)环绕击通电阻链(1)分布；基体(4)下表面整面为底面阴极(9)，底面阴极(9)下方覆盖底面阴极铝电极接触层(10)；击通电阻链(1)上方一端覆盖击通电阻链后端铝电极接触层(5)，另一端覆盖击通电阻链前端铝电极接触层(6)，圆形阳极(3)上方覆盖阳极铝电极接触层(7)；探测器上方未覆盖铝电极接触层的部分覆盖二氧化硅绝缘层(8)。
2.根据权利要求1所述的击通电阻链式硅漂移探测器，其特征在于，基体(4)为200-500微米厚圆柱半导体，基体(4)为n型轻掺杂。
3.根据权利要求2所述的击通电阻链式硅漂移探测器，其特征在于，基体(4)的掺杂浓度为1×1011/cm3-1×1013/cm3。
4.根据权利要求1所述的击...
【专利技术属性】
技术研发人员：李鑫卿，李正，王秀锋，龙涛，赵俊，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：
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