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本申请提供一种用于混合键合微区应力的监测方法。该方法包括：提供两个基础芯片；分别在两个所述基础芯片的键合面上形成混合键合的金属介质结构；将所述金属介质结构中的金属结构制作成应力表征结构，得到两个目标基础芯片；将两个所述目标基础芯片进行混合键...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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