【技术实现步骤摘要】
本申请涉及混合键合，具体涉及一种用于混合键合微区应力的监测方法。
技术介绍
1、在摩尔定律趋缓的背景下，多芯片集成是一种重要的提高芯片性能的方法，混合键合是实现多芯片集成的重要技术，其可以实现高密度细间距集成，但是集成过程中，金属互连结构及其周围会存在应力问题，这主要是因为金属和周围的介质以及硅的热膨胀系数不同，在工艺，尤其的退火工艺中会形成残余应力，而且在整个工艺过程中都会伴随着损伤造成的应力问题，因此在线监测工艺引起的应力变化是非常重要的，但是目前金属互连结构及周围的应力难以原位测量，虽然拉曼、x射线衍射(xrd)等方法可以实现测量，但是测量空间分辨率有限，而且这些方法都是依靠光学进行测量，难以穿透三维集成结构。
2、因此，出于混合键合微区应力难以原位在线监测的困难，开发一种可以原位监测混合键合微区应力的测试方法非常重要。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种用于混合键合微区应力的监测方法，以解决混合键合微区应力难以原位在线监测的问题。
2、本申请提供一种用...
【技术保护点】
1.一种用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，在所述基础芯片上形成用于混合键合的金属介质结构，包括：
3.根据权利要求2所述的用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，所述采用大马士革工艺在所述基础芯片上形成用于混合键合的金属介质结构，包括：
4.根据权利要求3所述的用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，将所述金属介质结构中的金属结构制作成应力表征结构，包括：
5.根据权利要求4所述的用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，在所述基础芯片上形成用于混合键合的金属介质结构，包括：
3.根据权利要求2所述的用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，所述采用大马士革工艺在所述基础芯片上形成用于混合键合的金属介质结构，包括：
4.根据权利要求3所述的用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，将所述金属介质结构中的金属结构制作成应力表征结构，包括：
5.根据权利要求4所述的用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，所述凹槽的开口形状为圆形或者方形。<...
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