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本发明提供一种半导体加热吸盘及制备方法及应用，加热基板采用石墨烯发热陶瓷基板，石墨烯发热陶瓷基板的制备如下：S1、在光洁度Ra＜0.008μm的陶瓷基板表面制备电极，得到预处理陶瓷基板；S2、将石墨烯涂料涂覆在预处理陶瓷基板表面，干燥、烧结...该专利属于昆山瑞芯源光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山瑞芯源光电科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种半导体加热吸盘及制备方法及应用，加热基板采用石墨烯发热陶瓷基板，石墨烯发热陶瓷基板的制备如下：S1、在光洁度Ra＜0.008μm的陶瓷基板表面制备电极，得到预处理陶瓷基板；S2、将石墨烯涂料涂覆在预处理陶瓷基板表面，干燥、烧结...