温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器及其制备方法，属于微纳加工与光电忆阻器技术领域。所述碲基光电忆阻器以经溶液等离子体处理后的二维(2D)Te材料作为半导体光电功能层。本发明通过对2D Te材料进行溶液等离子体处理，在原有的...
该专利属于东北师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北师范大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。