一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器及其制备方法，属于微纳加工与光电忆阻器技术领域。所述碲基光电忆阻器以经溶液等离子体处理后的二维(2D)Te材料作为半导体光电功能层。本发明专利技术通过对2D Te材料进行溶液等离子体处理，在原有的材料基础上引入了更多的缺陷，将其作为光电忆阻器的半导体光电功能层，实现了忆阻行为；本发明专利技术制备的忆阻器件的光学或者电学行为可用来模拟突触的短时可塑性，进一步用在神经形态计算领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳加工与光电忆阻器，特别是涉及一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器及其制备方法。

技术介绍

1、光电忆阻器可以集成多维信息时域处理的功能，为其在多模态感知系统中的应用提供了良好的平台。已经有多种材料被证实可以用于开发光电忆阻器，包括氧化物、钙钛矿和二维材料。其中，二维材料因其载流子迁移率高、光谱响应宽等优点得到了广泛的研究。二维碲(2d te)在光电探测器和场效应晶体管中具有优异的光学和电学响应特性，这些有价值的研究成功推动了基于2d te的光电忆阻器的发展。一些研究者已经开发了基于te单元器件的电阻开关，但是基于2d te的光电忆阻器还没有相关的研究。

2、通常，电荷捕获和去捕获作为一种重要的现有电阻开关机制已被广泛报道在各种二维光电忆阻器中，它们是通过浮栅或等离子体诱导缺陷水平的电荷隧穿引入的。具体来说，根据以往的处理材料方式(比如过氧化氢处理、退火、气体等离子体等)可以引入电荷捕获机制。已报道的碲基探测器件或者碲基晶体管虽然具有优异的光(电)学响应和感算能力，但是不具备存储能力。如果能找到一种新的处理材料的方案，解决t本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述碲基光电忆阻器以经溶液等离子体处理后的2D Te材料作为半导体光电功能层。

2.如权利要求1所述的基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述碲基光电忆阻器包括基板、对电极和半导体光电功能层；所述对电极设至在所述基板上；所述半导体光电功能层平行于对电极落在对电极中间区域上方。

3.如权利要求2所述的基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述基板为SiO2/Si基板；所述对电极为金对电极。

4.如权利要求2所述的基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述对电极...

【技术特征摘要】

1.一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述碲基光电忆阻器以经溶液等离子体处理后的2d te材料作为半导体光电功能层。

2.如权利要求1所述的基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述碲基光电忆阻器包括基板、对电极和半导体光电功能层；所述对电极设至在所述基板上；所述半导体光电功能层平行于对电极落在对电极中间区域上方。

3.如权利要求2所述的基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述基板为sio2/si基板；所述对电极为金对电极。

4.如权利要求2所述的基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述对电极的厚度为30-40nm；所述半导体光电功能层的厚度为25-30nm。

5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王中强，陶冶，卞景垚，徐海阳，刘益春，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：