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本发明涉及一种半导体衬底及其形成方法。所述半导体衬底的形成方法包括如下步骤：提供初始单晶硅衬底，所述初始单晶硅衬底包括相对分布的正面和背面；形成图案化的阻挡层于所述初始单晶硅衬底的正面上，所述阻挡层中具有暴露所述初始单晶硅衬底的正面的沟槽；...
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