【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种半导体衬底及其形成方法。
技术介绍
1、soi(silicon-on-insulator，绝缘体上硅)结构通常包括底层硅、位于所述底层硅上方的埋氧化层以及位于所述埋氧化层上方的顶层硅，所述埋氧化层用于隔离所述顶层硅与所述底层硅。当前在单晶硅中形成soi结构的方法是simox(separation by implantedoxygen，注氧隔离)技术，即将一定能量和剂量的氧离子注入到单晶硅中，通过后续长时间的高温处理过程消除氧离子注入造成的晶格损伤，同时在单晶硅内部形成连续分布的埋氧化层。
2、当前形成的soi结构中顶层硅与底层硅之间的埋氧化层是连续分布的，但是，随着技术研究的探索和深入，以及半导体行业的不断发展，目前的需求不仅是局限于连续的埋氧化层，而逐渐追求晶体内部的局部区域形成埋氧化层。然而，当前并没有有效的方法来在单晶硅内的局部区域形成埋氧化层，从而限制了soi结构应用领域的扩展。
3、因此，如何在单晶硅内的局部区域形成埋氧化层，从而在半导体衬底内的局部区域形成soi...
【技术保护点】
1.一种半导体衬底的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，形成图案化的阻挡层于所述初始单晶硅衬底的正面上，所述阻挡层中具有暴露所述初始单晶硅衬底的正面的沟槽的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，刻蚀所述阻挡层，形成沿第一方向贯穿所述阻挡层并暴露所述初始单晶硅衬底的正面的所述沟槽的具体步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，多个所述沟槽沿所述第二方向的宽度均相同；或者，
5.根据权利要求3所述的半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体衬底的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，形成图案化的阻挡层于所述初始单晶硅衬底的正面上，所述阻挡层中具有暴露所述初始单晶硅衬底的正面的沟槽的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，刻蚀所述阻挡层，形成沿第一方向贯穿所述阻挡层并暴露所述初始单晶硅衬底的正面的所述沟槽的具体步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，多个所述沟槽沿所述第二方向的宽度均相同；或者，
5.根据权利要求3所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，任意相邻的两个所述沟槽之间的间距相等；或者，
...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪聪颖，李炜，倪志娇，刘燕，陈国兴，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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