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本发明公开了一种考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的SiC MOSFET建模方法，包括：提取SiC MOSFET建模所需要的参数；根据提取的所需要的参数，构建SiC MOSFET的考虑温度变化的电流源模型；构建同时考虑温度变化和电压变化的...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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