【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于宽禁带功率半导体器件sic mosfet建模领域，涉及一种考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的sic mosfet建模方法。
技术介绍
1、电机驱动系统向着高功率密度和高动态响应的趋势发展，高功率密度的电机驱动系统需要碳化硅等高速电力电子开关器件作为支撑。碳化硅器件相较于传统硅器件具有更宽的禁带、更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率和更低的导通阻抗，能够大大提高系统的功率密度。碳化硅器件将逐渐取代硅基器件，推进电机驱动系统的向高功率密度和高动态响应发展。但与此同时，相较于常规器件，碳化硅器件的高频高速开关特性与振铃特性，将导致严重的电磁干扰，影响系统的可靠性。为了使得设备满足电磁兼容标准，同时在设计之初就能进行建模，从而指导系统的前向设计，对电机驱动系统的电磁干扰进行建模预测成为了重要的科学问题。而准确建立功率器件的开关模型，是准确建立电机驱动系统模型至关重要的环节。
2、目前sic mosfet器件的建模方式主要分为数值建模和物理建模。数值建模是指利用半导体器件模拟软件所建立的数值模型进行仿真，将器件离散成...
【技术保护点】
1.一种考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的SiC MOSFET建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的SiC MOSFET建模方法，其特征在于，所述SiC MOSFET的考虑温度变化的电流源模型的参数包括导通电阻Rds(on)、阈值电压Vth、开通延时时间ton_delay、关断延时时间toff_dalay、上升时间trise、下降时间tfall、开通振荡时间ton_osc及关断振荡时间toff_osc。
3.根据权利要求2所述的考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的SiC MOSFET建...
【技术特征摘要】
1.一种考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的sic mosfet建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的sic mosfet建模方法，其特征在于，所述sic mosfet的考虑温度变化的电流源模型的参数包括导通电阻rds(on)、阈值电压vth、开通延时时间ton_delay、关断延时时间toff_dalay、上升时间trise、下降时间tfall、开通振荡时间ton_osc及关断振荡时间toff_osc。
3.根据权利要求2所述的考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的sic mosfet建模方法，其特征在于，sic mosfet的考虑温度变化的电流源模型中的电流为：
4.根据权利要求2所述的考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的sic mosfet建模方法，其特征在于，温度t对应的导通电阻rds(on)(t)为：
5.根据权利要求2所述的考虑不同温度且结电容随温度和电压变化的sic mosfet建模方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟永庆，李凤姣，陈文洁，都岩巍，杨光，阚金鹏，史怡心，李昌熠，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：
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