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本发明涉及一种SiC器件及其制造方法，其中，一种SiC器件，包括n型衬底、n型缓冲层、n型漂移区、第一p阱区、第二p阱区、第三p阱区、n+源区，p+接触区、栅氧化层、多晶硅栅、第一隔离介质、第二隔离介质、漏极欧姆接触层和漏电极；n型缓冲层外...
该专利属于辽宁省交通高等专科学校所有，仅供学习研究参考，未经过辽宁省交通高等专科学校授权不得商用。

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