一种SiC器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种SiC器件及其制造方法，其中，一种SiC器件，包括n型衬底、n型缓冲层、n型漂移区、第一p阱区、第二p阱区、第三p阱区、n+源区，p+接触区、栅氧化层、多晶硅栅、第一隔离介质、第二隔离介质、漏极欧姆接触层和漏电极；n型缓冲层外延在n型衬底的上表面且n型缓冲层的顶部外延有凸起，n型漂移区的底部开设有凹槽；n型漂移区的顶部依次覆盖有第一p阱区、第二p阱区、第三p阱区和n+源区。其有益效果是，n型缓冲层与n型漂移区的凸起与凹槽设计：增强了两者之间的机械连接和电学接触，提高了器件的稳定性和可靠性，而通过不同掺杂浓度的p阱区实现电场分布的优化，降低器件的导通电阻，提高装置的安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种sic器件及其制造方法。

技术介绍

1、碳化硅（sic）材料具有禁带宽度大，热导率高，临界雪崩击穿电场强度高，饱和载流子漂移速度大，热稳定性好等特点，非常适合用于制造电力电子器件。以sic-mosfet、sic-jbs二极管为代表的sic电力电子器件已经得到快速发展并已实现了商品化，但由于栅氧化层可靠性问题、肖特基势垒降低问题的影响，sic-mosfet与sic-jbs二极管难以应用于极端环境。以sic-jfet、sic-bjt、sic-pin二极管以及sic晶闸管为代表的双极型器件，由于不存在栅氧化层可靠性问题的影响，具有更大的极端环境应用潜力，受到国防工业领域的青睐。

2、经检索，中国专利号为cn113488560b的专利，公开了一种全光控sic高压器件，包括采用n型sic材料制作的衬底；衬底的上表面外延有n型缓冲层；在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区；在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区；在p型基区上表面注入有n型发射区；在p型结区与p型基区之间的n型漂移区上表面沉积有介质层；p型结区、p型本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC器件，其特征在于，包括n型衬底（1）、n型缓冲层（2）、n型漂移区（3）、第一p阱区（4）、第二p阱区（5）、第三p阱区（6）、n+源区（7），p+接触区（8）、栅氧化层（9）、多晶硅栅（15）、第一隔离介质（16）、第二隔离介质（17）、漏极欧姆接触层（18）和漏电极（19）；

2.根据权利要求1所述的一种SiC器件，其特征在于：所述n型缓冲层（2）与n型漂移区（3）的尺寸相同且通过凸起与凹槽互相配合。

3.根据权利要求1所述的一种SiC器件，其特征在于：所述第一p阱区（4）的掺杂浓度大于第二p阱区（5）的掺杂浓度，所述第二p阱区（5）的掺杂浓度大...

【技术特征摘要】

1.一种sic器件，其特征在于，包括n型衬底（1）、n型缓冲层（2）、n型漂移区（3）、第一p阱区（4）、第二p阱区（5）、第三p阱区（6）、n+源区（7），p+接触区（8）、栅氧化层（9）、多晶硅栅（15）、第一隔离介质（16）、第二隔离介质（17）、漏极欧姆接触层（18）和漏电极（19）；

2.根据权利要求1所述的一种sic器件，其特征在于：所述n型缓冲层（2）与n型漂移区（3）的尺寸相同且通过凸起与凹槽互相配合。

3.根据权利要求1所述的一种sic器件，其特征在于：所述第一p阱区（4）的掺杂浓度大于第二p阱区（5）的掺杂浓度，所述第二p阱区（5）的掺杂浓度大于第三p阱区（6）的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的一种sic器件，其特征在于：所述第一p阱区（4）、第二p阱区（5）、第三p阱区（6）和n+源区（7）的内腔中镶嵌有第一p+结区（20）与第二p+结区（21），所述第一p+结区（20）的水平截面呈部分空心形状，所述第二p+结区（21）的水平截面呈实心形状。

5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘达硕，王禹智，李达煜，曹晴，李佰桐，李奕德，王焱，李瑞雪，于明炜，李林娜，
申请(专利权)人：辽宁省交通高等专科学校，
类型：发明
国别省市：