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本发明公开了一种基于空腔图形化衬底的Micro‑LED芯片制备方法，包括：1)提供外延片，所述包括衬底和外延层，所述外延层包括AlN缓冲层、n‑GaN层、有源区层、p‑AlGaN电子阻挡层和p‑GaN层；2)在所述p‑GaN层表面沉积一层S...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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