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一种测量β平面源表面吸收剂量率的电离室及使用方法技术
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文档序号:43536743
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本发明涉及一种测量β平面源表面吸收剂量率的电离室,包括:室壁环、绝缘压环、绝缘支撑环、导电薄膜、保护环、收集极、后壳、绝缘背环组件、中心导电柱及保护盖,所述后壳及所述保护盖分别设置于所述室壁环的两端,所述绝缘压环及所述绝缘支撑环设置于所述室...
该专利属于中国辐射防护研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国辐射防护研究院授权不得商用。
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