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本技术公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件，包括外延层，所述外延层内设置有第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽的底部设置有源极多晶硅，源极多晶硅外侧依次设置有第三隔离层、第二隔离层和第一隔离层，源极多晶硅上端依次设置有隔离氧化层和第一栅极多晶硅，...
该专利属于中晶新源（上海）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中晶新源（上海）半导体有限公司授权不得商用。

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