一种宽安全工作区的半导体功率器件制造技术

本技术公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件，包括外延层，所述外延层内设置有第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽的底部设置有源极多晶硅，源极多晶硅外侧依次设置有第三隔离层、第二隔离层和第一隔离层，源极多晶硅上端依次设置有隔离氧化层和第一栅极多晶硅，第一栅极多晶硅的外侧设置有第一栅氧化层；第二沟槽的底部设置有源极多晶硅，源极多晶硅外侧依次设置有第三隔离层、第二隔离层和第一隔离层，源极多晶硅上端依次设置有隔离氧化层和第二栅极多晶硅。本技术通过使元胞不同位置的阈值电压不同，根据实际场景以及需求对元胞进行组合，使得器件使用过程中当栅源电压较小时，可以选择部分区域不开启，此时器件本身电流不大，部分区域开启就可以完成工作，部分区域不开启对于整个器件而言功率密度减小，散热能力增强。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体，尤其涉及一种宽安全工作区的半导体功率器件。

技术介绍

1、随着mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)技术发展，从planar mos(平面型)逐步迭代到trench mos(沟槽型)，同时制程不断缩小。随着pitch的尺寸不断缩小，元胞密度大大增加。

2、在传统的sgt或者典型的沟槽型半导体器件的结构中，随着元胞密度的增加，电流更加集中。在相同封装体下，pitch较小的产品则热量更容易集中一处，然后导致器件热烧毁。在实际工作中，soa曲线中功耗限制线也会由于器件的热不稳定性而出现拐点，这种情况与器件零温度系数点有关。

3、因此，如何增强器件的散热能力和提高器件的热稳定性，是一个亟待解决的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术的目的在于使元胞不同位置的阈值电压不同，根据实际场景以及需求对元胞进行组合，使得器件使用过程中当栅源电压较小时，可以选择部分区域不开启，此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽安全工作区的半导体功率器件，其特征在于，包括外延层，所述外延层内设置有第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽的底部设置有源极多晶硅，所述源极多晶硅外侧依次设置有第三隔离层、第二隔离层和第一隔离层，所述源极多晶硅上端依次设置有隔离氧化层和第一栅极多晶硅，所述第一栅极多晶硅的外侧设置有第一栅氧化层，所述第一栅氧化层包括第一隔离层和第二隔离层；

【技术特征摘要】

1.一种宽安全工作区的半导体功率器件，其特征在于，包括外延层，所述外延层内设置有第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽的底部设置有源极多晶硅，所述源极多晶硅外侧依次设置有第三隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科科，钟义栋，董云，
申请(专利权)人：中晶新源上海半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：