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本发明属于半导体工艺技术领域，尤其涉及一种输入电容调整方法、屏蔽栅结构及芯片：通过第三介质层（311）的构造引入特殊材料并实现回刻过程的选择性，进而构造由栅氧结构（304）与第一屏蔽栅多晶硅（303）形成的倒品字形屏蔽栅结构，该结构减少了两...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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