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本发明公开了一种PVT法生长高纯4H‑SiC单晶的方法，属于半导体技术领域。在SiC晶体生长之前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，具体为：将SiC衬底的Si面裸露，C面遮掩；衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂电极...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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