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本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属ＮＡＮＯＧＡＰ，最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米相变条填充在金属隙缝...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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