温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种高电子迁移率晶体管，包含半导体通道层和半导体阻障层依序设置于基底上，源极电极和漏极电极设置于半导体通道层上，半导体盖层设置于半导体阻障层上，第一介电层设置于源极电极、半导体盖层和漏极电极之上，第一导通孔贯穿第一介电层，且向下延伸至半导体...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。