一种高电子迁移率晶体管，包含半导体通道层和半导体阻障层依序设置于基底上，源极电极和漏极电极设置于半导体通道层上，半导体盖层设置于半导体阻障层上，第一介电层设置于源极电极、半导体盖层和漏极电极之上，第一导通孔贯穿第一介电层，且向下延伸至半导体盖层上，栅极电极设置于第一介电层上，且接触第一导通孔，第一场板设置于第一介电层内，以及第二场板设置于第一介电层上，且接触第一场板。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体的领域，尤其涉及高电子迁移率晶体管及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体技术中，iii-v族的化合物半导体可用于形成各种集成电路装置，例如：高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)。hemt是属于具有二维电子气(two dimensional electron gas,2deg)的一种晶体管，其2deg会邻近于能隙不同的两种材料之间的接合面(亦即，异质接合面)。由于hemt并非使用掺杂区域作为晶体管的载子通道，而是使用2deg作为晶体管的载子通道，因此相较于现有的金氧半场效晶体管(mosfet)，hemt具有多种吸引人的特性，例如：高电子迁移率及以高频率传输信号的能力。通常，在hemt中可设置场板来调控电场分布，进而提升hemt的击穿电压，然而，用来制造hemt的场板的现有的制程步骤繁复，并增加制造成本。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出一种高电子迁移率晶体管(hemt)及其制造方法，使用较少的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第一导通孔、该栅极电极、该第一场板和该第二场板均由一第一金属层构成。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第一场板的侧壁和底面之间的夹角大于90度。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第一导通孔还贯穿该蚀刻停止层和该第二介电层。
6.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：
>7.如权利要求6所...
【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第一导通孔、该栅极电极、该第一场板和该第二场板均由一第一金属层构成。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第一场板的侧壁和底面之间的夹角大于90度。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第一导通孔还贯穿该蚀刻停止层和该第二介电层。
6.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：
7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第二导通孔、该第三导通孔、该第一导线、该第二导线、该第一导通孔、该栅极电极、该第一场板和该第二场板均由一第一金属层构成。
8.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括一第三场板，设置于该第二介电层下方，且位于该第一导通孔和该第一场板之间，其中该源极电极、该漏极电极和该第三场板均由一第二金属层构成。
9.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第一场板和该第三场板在垂直投影方向上部分重叠，且该第一场板具有一高度段差。
10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括一第三介电层设置在该半导体阻障层上，其中该源极电极的一部分和该漏极电极的一部分均各自延伸至该第三介电层的顶面上。
11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：
12.如权利要求11...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹振东，郑韦志，李家豪，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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