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本发明公开一种单片集成光电芯片及其制备方法与电池表面温度的测量方法，涉及半导体技术领域，单片集成光电芯片包括衬底，以及间隔集成在衬底上的发光二极管和光电探测器，光电探测器包括MQWs层以及与MQWs层连接的N电极和P电极，MQWs层包括交替...
该专利属于南方科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过南方科技大学授权不得商用。

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