【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种单片集成光电芯片及其制备方法与电池表面温度的测量方法。
技术介绍
1、电池(例如锂离子电池等)作为最主要的储能元件，直接影响着许多电子设备的安全性和可靠性。然而，电池的外观温度变化会极大地影响其使用体验，比如潜在的热失控、低温下的性能下降和加速老化等，仍然阻碍着电池的进一步发展。为确保电池安全、高效、可靠地运行，监测其热状态对于安全保护、性能优化和健康管理至关重要。
2、因此，急需提供一种精度高的用于温度测量的设备。
技术实现思路
1、基于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种单片集成光电芯片及其制备方法与电池表面温度的测量方法，旨在提供一种精度高的用于温度测量的设备。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、本专利技术的第一方面，提供一种单片集成光电芯片，其中，所述单片集成光电芯片包括衬底，以及间隔集成在所述衬底上的发光二极管和光电探测器，所述光电探测器包括mqws层以及与所述mqws层连接的n电极和p电极，所述...
【技术保护点】
1.一种单片集成光电芯片，其特征在于，所述单片集成光电芯片包括衬底，以及间隔集成在所述衬底上的发光二极管和光电探测器，所述光电探测器包括MQWs层以及与所述MQWs层连接的N电极和P电极，所述MQWs层包括交替层叠设置的InGaN层和GaN层。
2.根据权利要求1所述的单片集成光电芯片，其特征在于，所述发光二极管与所述光电探测器之间的间隙中填充有绝缘物质；
3.根据权利要求1所述的单片集成光电芯片，其特征在于，所述光电探测器还包括n-GaN层、p-GaN层和ITO层；所述n-GaN层、MQWs层、p-GaN层和ITO层依次层叠设置在所述衬底上，...
【技术特征摘要】
1.一种单片集成光电芯片，其特征在于，所述单片集成光电芯片包括衬底，以及间隔集成在所述衬底上的发光二极管和光电探测器，所述光电探测器包括mqws层以及与所述mqws层连接的n电极和p电极，所述mqws层包括交替层叠设置的ingan层和gan层。
2.根据权利要求1所述的单片集成光电芯片，其特征在于，所述发光二极管与所述光电探测器之间的间隙中填充有绝缘物质；
3.根据权利要求1所述的单片集成光电芯片，其特征在于，所述光电探测器还包括n-gan层、p-gan层和ito层；所述n-gan层、mqws层、p-gan层和ito层依次层叠设置在所述衬底上，且所述n-gan层贴合所述衬底表面设置。
4.根据权利要求3所述的单片集成光电芯片，其特征在于，所述光电探测器还包括：
5.根据权利要求4所述的单片集成光电芯片，其特征在于，所述分布布拉格反射层包括交替...
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