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本发明提供了一种半导体结构及功率半导体器件，包括衬底，位于衬底一侧的外延层和栅极结构；位于外延层中的阱区，且阱区位于栅极结构的两侧；位于阱区中的源极区、掺杂区和埋层，源极区和掺杂区自外延层远离衬底的表面向外延层内延伸，埋层位于源极区靠近衬底...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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