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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一基底，一高压晶体管设置在基底的高压区内，其中高压晶体管包含一第一栅极介电层设置在基底上，一第一栅极电极设置在第一栅极介电层上，一第一源极/漏极掺杂区和一第二源极/漏极掺杂区分别设置...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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