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本发明公开一种半导体结构的制作方法，包括下列步骤。通过对半导体基底的第一区进行图案化而形成多个鳍状结构。在半导体基底的第二区中形成第一浅沟槽，且第一浅沟槽的底部暴露出半导体基底的一部分。进行第一蚀刻制作工艺，多个鳍状结构中的一个的至少一部分...
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