【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构的制作方法，尤其是涉及一种包括鳍状结构与深沟槽的半导体结构的制作方法。
技术介绍
1、随着场效晶体管(field effect transistors，fets)元件尺寸持续地缩小，现有的平面式(planar)场效晶体管(元件的发展已面临到制作工艺上的极限。因此，为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管(元件例如鳍状场效晶体管((fin fieldeffect transistor,finfet)元件来取代平面晶体管(元件已成为目前业界的发展趋势。然而，在集成电路中，因为产品需求常需设置不同类型的晶体管结构，例如上述的平面式与非平面式晶体管结构，或者对应不同操作电压而设计的不同晶体管结构，进而造成整体的制作工艺复杂化而影响到产品的制作工艺良率或/及制造成本。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体结构的制作方法，利用移除鳍状结构的蚀刻制作工艺一并对浅沟槽进行蚀刻而形成深沟槽，由此达到制作工艺简化或/及降低生产成本的效果。
<...【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该第一浅沟槽通过该第一蚀刻制作工艺向下延伸而成为该第一深沟槽。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该第一蚀刻制作工艺为鳍切割制作工艺。
4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该第一浅沟槽的该底部在垂直方向上低于各该鳍状结构。
5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中形成该第一浅沟槽的方法包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其中该第二蚀刻制作工艺为鳍切割制作工艺。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该第一浅沟槽通过该第一蚀刻制作工艺向下延伸而成为该第一深沟槽。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该第一蚀刻制作工艺为鳍切割制作工艺。
4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该第一浅沟槽的该底部在垂直方向上低于各该鳍状结构。
5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中形成该第一浅沟槽的方法包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其中该第二蚀刻制作工艺为鳍切割制作工艺。
7.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该半导体基底的该第一区被图案化制作工艺图案化，且该图案化制作工艺包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其中该图案化制作工艺还包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其中该图案化制作工艺还包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其中该多个第三掩模图案与该第四掩模图案是通过该图案化制作工艺中的第一蚀刻步骤一并形成。
11.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其中该半导体基底的该第一区的一部分被该图案化制作工艺中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏苍，林佳静，黄文良，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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