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本申请涉及电力电子技术领域，提供用于MOSFET栅极驱动的自适应控制方法。所述方法包括：通过栅极驱动器，配置电流强度；通过栅极电阻预测组件，对电流强度进行处理，获得预测电阻值；通过栅极驱动时长预测组件，处理电流强度，获得预测驱动时长；根据电...
该专利属于浙江广芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江广芯微电子有限公司授权不得商用。

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