用于MOSFET栅极驱动的自适应控制方法技术

本申请涉及电力电子技术领域，提供用于MOSFET栅极驱动的自适应控制方法。所述方法包括：通过栅极驱动器，配置电流强度；通过栅极电阻预测组件，对电流强度进行处理，获得预测电阻值；通过栅极驱动时长预测组件，处理电流强度，获得预测驱动时长；根据电流强度结合预测驱动时长进行功耗分析，获得驱动功耗预测值；当预测电阻值满足阈值且预测驱动时长小于或等于阈值且驱动功耗预测值小于或等于阈值，根据电流强度进行栅极驱动控制。本申请解决了由于栅极电阻和驱动时长的不确定性，导致控制效率低下和功耗过高的技术问题，实现了通过动态调整栅极驱动参数，自动预测并优化驱动时长和功耗，提高MOSFET的工作效率和能源利用率的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电力电子，具体涉及用于mosfet栅极驱动的自适应控制方法。

技术介绍

1、在现代电力电子系统中，mosfet因其优越的开关性能和低导通损耗而被广泛应用于高效能转换器、逆变器及电机驱动等场合。有效的栅极驱动是确保mosfet能够快速切换的关键，这不仅影响开关速度，也直接关系到电路的整体性能和功耗。目前的栅极驱动控制方式主要依赖经验进行参数选定，缺乏精细化的调节机制。这种做法导致驱动电压的选择往往无法满足不同工作条件下的实际需求，造成mosfet在开关过程中产生过大的损耗，进而增加系统的能耗。同时，因为固定的驱动时长无法适应负载变化，也会影响开关频率的稳定性，降低系统效率。

技术实现思路

1、本申请通过提供了用于mosfet栅极驱动的自适应控制方法，旨在解决由于栅极电阻和驱动时长的不确定性，导致控制效率低下和功耗过高的技术问题。

2、鉴于上述问题，本申请提供了用于mosfet栅极驱动的自适应控制方法。

3、本申请提供了用于mosfet栅极驱动的自适应控制方法，所述方法包括：通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.用于MOSFET栅极驱动的自适应控制方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：当所述MOSFET栅极预测电阻值不满足所述电阻值阈值，或/和所述MOSFET栅极预测驱动时长大于所述驱动时长阈值，或/和所述驱动功耗预测值大于所述驱动功耗阈值，对所述第一阶段电流强度或/和所述第二阶段电流强度或/和所述第三阶段电流强度进行调节后，执行循环分析。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过栅极驱动器，配置第一阶段电流强度、第二阶段电流强度、第三阶段电流强度，包括：

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过MOSFET栅极...

【技术特征摘要】

1.用于mosfet栅极驱动的自适应控制方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：当所述mosfet栅极预测电阻值不满足所述电阻值阈值，或/和所述mosfet栅极预测驱动时长大于所述驱动时长阈值，或/和所述驱动功耗预测值大于所述驱动功耗阈值，对所述第一阶段电流强度或/和所述第二阶段电流强度或/和所述第三阶段电流强度进行调节后，执行循环分析。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过栅极驱动器，配置第一阶段电流强度、第二阶段电流强度、第三阶段电流强度，包括：

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过mosfet栅极电阻预测组件，对所述第一阶段电流强度、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢刚，徐显修，
申请(专利权)人：浙江广芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：