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本发明公开一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺，属于半导体材料技术领域。该工艺包括以下步骤：(1)将反应管中的空气置换为氢气；将锑化铟衬底放置在反应管中，并在锑化铟衬底的表面均匀放置小粒径的铟粒；(2)对锑化铟衬底及铟粒加热，使得铟...
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