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本发明提供一种单晶金刚石外延生长方法，涉及单晶生长技术领域。包括以下步骤：在单晶金刚石晶种生长面上第一轮外延生长，得到单晶金刚石Ⅰ；切割单晶金刚石Ⅰ生长面，在切割后的单晶金刚石Ⅰ的生长面上进行至少一个轮次的外延生长，每轮生长前对生长面切割，...
该专利属于河南天璇半导体科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南天璇半导体科技有限责任公司授权不得商用。

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