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本发明公开了一种SRAM结构，包括：设于衬底表面上的SRAM位单元；所述SRAM位单元设有作为上拉晶体管的第一晶体管和第二晶体管，作为下拉晶体管的第三晶体管和第四晶体管，以及作为传输门晶体管的第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管和所述第六...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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