【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路，尤其涉及一种sram结构。
技术介绍
1、静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)是随机存取存储器的一种。一般而言，在通用处理器中sram会占据30％以上的片上面积，因此在不明显降低性能的前提下，增加sram的集成度对于集成电路产业的发展是至关重要的。
2、参考图1。sram通常由上拉晶体管(pull-up transistor，pu)、下拉晶体管(pull-down transistor，pd)和传输门晶体管(pass-gate transistor，pg)组成。每个sram位单元(sram bitcell)中，一般设有作为pu的2个p型晶体管p1、p2，作为pd的2个n型晶体管n1、n2，和作为pg的2个n型晶体管n3、n4，因此共有6个晶体管。
3、参考图2，图中图左为1个sram位单元中包括2个pu、2个pd和2个pg的6个晶体管的平面布局，图右为由4个sram位单元按行列排列形成2×2sram位单元阵列时的平面布局。图中的晶体管...
【技术保护点】
1.一种SRAM结构，其特征在于，包括：设于衬底表面上的SRAM位单元；
2.根据权利要求1所述的SRAM结构，其特征在于，所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的源极相连，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的漏极和所述第六晶体管的源极相连，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接高电平，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极连接低电平，所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极连接同一个字线，所述第五晶体管的漏极和所述第六晶体管的漏极分...
【技术特征摘要】
1.一种sram结构，其特征在于，包括：设于衬底表面上的sram位单元；
2.根据权利要求1所述的sram结构，其特征在于，所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的源极相连，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的漏极和所述第六晶体管的源极相连，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接高电平，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极连接低电平，所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极连接同一个字线，所述第五晶体管的漏极和所述第六晶体管的漏极分别连接两个不同的位线。
3.根据权利要求2所述的sram结构，其特征在于，所述第一互补场效应晶体管和所述第五晶体管并列设置，并位于所述字线在所述衬底表面上的投影的一侧，所述第二互补场效应晶体管和所述第六晶体管并列设置，并位于所述字线的投影的另一侧，且所述第一互补场效应晶体管与所述第二互补场效应晶体管之间，以及所述第五晶体管与所述第六晶体管之间以所述字线的投影为转轴和转动平面互为180度旋转对称设置。
4.根据权利要求3所述的sram结构，其特征在于，所述第五晶体管和所述第六晶体管位于所述第一互补场效应晶体管和所述第二互补场效应晶体管的内侧，且所述第五晶体管和所述第六晶体管在所述衬底表面上的高度低于所述第一互补场效应晶体管和所述第二互补场效应晶体管在所述衬底表面上的高度，从而在所述第一互补场效应晶体管和所述第二互补场效应晶体管之间的所述第五晶体管和所述第六晶体管上方形成走线空间，两个所述位线并列设置，并与所述字线相互正交，且两个所述位线设于所述走线空间中。
5.根据权利要求4所述的sram结构，其特征在于，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极，以及所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极朝向外侧设置，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极分别通过第一电源线连接高电平，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极分别通过第二电源线连接低电平，所述第一电源线和所述第二电源线与所述位线平行。
6.根据权利要求4所述的sram结构，其特征在于，所述字线包括设于...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁荣正，朱小娜，罗夕琼，陈鲲，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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