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本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种基于层状多相ReS<subgt;2</subgt;多阻态忆阻器的制备方法及应用，通过相工程技术制备多相ReS<subgt;2</subgt;并转移到N型硅衬底表面，得到样品；利...
该专利属于苏州科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州科技大学授权不得商用。

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