基于层状多相二硫化铼多阻态忆阻器的制备方法及应用技术

本发明专利技术属于微电子器件技术领域，公开了一种基于层状多相ReS<subgt;2</subgt;多阻态忆阻器的制备方法及应用，通过相工程技术制备多相ReS<subgt;2</subgt;并转移到N型硅衬底表面，得到样品；利用光刻及磁控溅射制备源漏极以及栅极，得到层状多相ReS<subgt;2</subgt;的多阻态忆阻器。本发明专利技术的忆阻器包括N型硅衬底、二硫化铼、金属电极；可实现在电场驱动下的瞬时阻变效应，并且开/关比高达10<supgt;3</supgt;。此外，具有多阻态调控功能，在脉冲作用下出现16个可谐调电阻态。这种忆阻器结构简单、制备方便、性能优良，并且为二维金属硫族化合物在多阻态忆阻器中的应用提供了思路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子器件，尤其涉及一种基于层状多相res2多阻态忆阻器的制备方法及应用。

技术介绍

1、目前，忆阻器有望为未来神经形态计算和非易失性数据的高速存储开辟一条新道路，其中多阻态忆阻器件因其作为多功能器件的巨大潜力而受到越来越多的关注，可应用于多级数据存储领域、神经形态学习以及人工智能系统。但是目前忆阻器的阻态数量仍然较少，无法满足实际应用中的精度要求。目前主流忆阻器的工作原理是基于缺陷的定向移动，这意味着忆阻性质在小尺度下分布的均一性较差，影响器件的集成度提高。此外，器件在实际应用中，面临复杂多变的实际环境，其弯曲稳定性和抗干扰能力不容忽视。

2、通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：在大规模制造中，忆阻器的性能均一性和阻态数量存在挑战。环境的微小变化导致器件性能变差，影响实际应用。同时在长时间使用和不同工作条件下性能不稳定，降低器件的寿命和可靠性。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种基于层状多相二硫化铼(res2)多阻态忆阻器的制备方法及应用。

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【技术保护点】

1.一种基于层状多相ReS2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的基于层状多相ReS2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤一中制备多相ReS2具体包括以下步骤：

3.如权利要求1所述的基于层状多相ReS2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述多相ReS2的厚度在1～30nm。

4.如权利要求1所述的基于层状多相ReS2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述样品为多相结构，为层状多相硫化铼材料。

5.如权利要求1所述的基于层状多相ReS2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种基于层状多相res2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的基于层状多相res2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤一中制备多相res2具体包括以下步骤：

3.如权利要求1所述的基于层状多相res2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述多相res2的厚度在1～30nm。

4.如权利要求1所述的基于层状多相res2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述样品为多相结构，为层状多相硫化铼材料。

5.如权利要求1所述的基于层状多相res2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述转移方法为二维对准转移法。

6.如权利要求1所述的基于层状多相res2多阻态忆阻器的制备方法，其特征在于，在步骤二中，所述光刻方法为接触式光刻，源漏极为金电极，栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：隋皓宇，唐羽倩，张家毓，顾佳君，王韵，张金磊，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：