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本发明涉及一种玻璃基转接器件的制作方法,包括:在玻璃基底的正面布置键合互连结构;将带有键合互连结构的玻璃基底与硅基无源转接器件进行混合键合,得到组合体,其中硅基无源转接器件包括硅基体和设置在硅基体表面的第一互连结构以及多层第二互连结构,第一...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种玻璃基转接器件的制作方法,包括:在玻璃基底的正面布置键合互连结构;将带有键合互连结构的玻璃基底与硅基无源转接器件进行混合键合,得到组合体,其中硅基无源转接器件包括硅基体和设置在硅基体表面的第一互连结构以及多层第二互连结构,第一...