玻璃基转接器件的制作方法及封装结构技术

本发明专利技术涉及一种玻璃基转接器件的制作方法，包括：在玻璃基底的正面布置键合互连结构；将带有键合互连结构的玻璃基底与硅基无源转接器件进行混合键合，得到组合体，其中硅基无源转接器件包括硅基体和设置在硅基体表面的第一互连结构以及多层第二互连结构，第一互连结构位于硅基体的表面，具有第二介质层和导电盲孔，导电盲孔不直接与硅基体相连，而是嵌入在第二介质层中，多层第二互连结构设置在第一互连结构背离硅基体的一侧，第二互连结构包括超细线路和第三介质层；去除硅基体；对硅基体全部被去除后露出的第二介质层进行研磨，使得导电盲孔露出，并使得导电盲孔与第二介质层平齐。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种玻璃基转接器件的制作方法及封装结构。

技术介绍

1、随着芯片工艺不断演进，硅的工艺发展趋近于其物理瓶颈，晶体管特征尺寸的进一步微缩变得愈加困难，“摩尔定律”变得难以为继。同时，随着高性能计算(hpc)、人工智能(a i)、智能驾驶、5g等应用的蓬勃发展，各应用场景对高带宽、高算力、低延时、低功耗的需求愈发强烈。为解决这一问题，利用先进封装技术将不同工艺/功能的芯片进行异质集成，成为面对高端芯片性能提升的重要解决方案。

2、现有的高端芯片封装方案包括基于tsv转接板的2.5d、rdl-f i rst扇出封装技术和基于硅桥的2.5d技术等。随着信号传输速率的不断提升，以硅基或者有机介质材料的芯片转接技术会面临较大的信号完整性调整。相比之下，玻璃基材料由于其较好的绝缘性，是高速信号传输线的理想载体，有望在多芯片异质集成领域发挥重要作用。

3、然而，由于工艺条件的限制，很难在玻璃基表面制备亚微米尺度的超细线宽结构。因此，亟需寻找新的技术，实现玻璃基表面超细线宽的制备，使玻璃基转接器件在先进封装中得到更广本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种玻璃基转接器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多层超细线路之间电互连，并与导电盲孔电连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，超细线路的线宽在10nm-10000nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合互连结构包括第一介质层和金属结构，金属结构的表面和第一介质层表面平齐。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在玻璃基底的表面布置键合互连结构之前还包括：

6.一种玻璃基转接器件的制作方法，其特征在于，包括：

7.一种玻璃基转接器件的制作方...

【技术特征摘要】

1.一种玻璃基转接器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多层超细线路之间电互连，并与导电盲孔电连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，超细线路的线宽在10nm-10000nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合互连结构包括第一介质层和金属结构，金属结构的表面和第一介质层表面平齐。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在玻璃基底的表面布置键合互连结构之前还包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏伟，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：