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本发明公开了基于界面缺陷电荷长期存储的WS<subgt;2</subgt;/h‑BN场效应晶体管及其制备方法。基于界面缺陷电荷长期存储的WS<subgt;2</subgt;/h‑BN场效应晶体管他包括：硅/二氧化硅衬...
该专利属于东北师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北师范大学授权不得商用。

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