一种基于界面缺陷电荷长期存储的WS2/h-BN场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了基于界面缺陷电荷长期存储的WS<subgt;2</subgt;/h‑BN场效应晶体管及其制备方法。基于界面缺陷电荷长期存储的WS<subgt;2</subgt;/h‑BN场效应晶体管他包括：硅/二氧化硅衬底，WS<subgt;2</subgt;/h‑BN异质结、金属电极、器件沟道。上述的硅/二氧化硅衬底作为最下层的承载物，利用PDMS对于商用二维WS<subgt;2</subgt;和h‑BN体材料进行前夕剥离和转移。其中，引入了紫外光处理，用于增强二维界面存储电荷的能力和单位面积的缺陷密度。本发明专利技术通过改变紫外光处理的功率，结合后期电学加工和表征，实现了二维图像的长期高效记忆，并可利用于图像加密的功能开发。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于场效应晶体管领域，具体涉及基于界面缺陷的、可实现电荷长期存储的ws2/h-bn场效应晶体管及其制备工艺。

技术介绍

1、二维材料场效应晶体管作为下一代电子器件的热门研究方向，近年来在集成电路和电学存储领域取得了显著进展。二维材料如石墨烯、二硫化钼、二硫化钨（ws2）、氮化硼（h-bn）等，由于其独特的机械和光电子学性能，在构建高性能晶体管方面展现出巨大潜力。这些材料具有原子级薄度、高载流子迁移率等优势，有助于减少短沟道效应，综合提升器件光电性能。当前，二维材料场效应晶体管的研究主围绕以下几个方面。一：材料制备与性质调控，如通过化学气相沉积制备大面积单层石墨烯，通过机械剥离法获取高质量二硫化钼、二硫化钨等；二：器件构筑工艺优化，包括栅极长度微型化至亚纳米级、电极接触优化至量子极限等；三：高质量介电层的开发，以解决传统氧化物半导体与二维材料界面不清晰等关键技术问题，如近期制备的原子薄单晶氧化铝作为顶栅电介质，显著提升了二维材料场效应晶体管的性能指标；四：新型架构与集成方式探索，如异质集成技术，将二维材料与传统硅基电路相结合，以实现更高性能的电子设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于界面缺陷电荷长期存储的WS2/h-BN场效应晶体管，其特征在于：由下至上依次为硅/二氧化硅衬底、六方氮化硼二维薄层、WS2二维薄层、两块金属电极；所述的六方氮化硼二维薄层的上表面和WS2二维薄层的下表面经过了紫外曝光处理。

2.根据权利要求1所述的基于界面缺陷电荷长期存储的WS2/h-BN场效应晶体管，其特征在于：所述的紫外曝光处理，功率为0-60微瓦，紫外光波长为265 nm，时间为10分钟。

3.根据权利要求2所述的基于界面缺陷电荷长期存储的WS2/h-BN场效应晶体管，其特征在于：所述的衬底为1 cm×1 cm，具有280nm氧化层；六方氮化硼二维薄...

【技术特征摘要】

1.基于界面缺陷电荷长期存储的ws2/h-bn场效应晶体管，其特征在于：由下至上依次为硅/二氧化硅衬底、六方氮化硼二维薄层、ws2二维薄层、两块金属电极；所述的六方氮化硼二维薄层的上表面和ws2二维薄层的下表面经过了紫外曝光处理。

2.根据权利要求1所述的基于界面缺陷电荷长期存储的ws2/h-bn场效应晶体管，其特征在于：所述的紫外曝光处理，功率为0-60微瓦，紫外光波长为265 nm，时间为10分钟。

3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘为振，仲玮恒，段鑫宇，刘玉庆，景佳薇，孙照杰，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：