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本申请公开了一种沟槽肖特基二极管及沟槽肖特基二极管的制作方法，涉及肖特基二极管技术领域，用于解决相关技术中沟槽肖特基二极管在产品反向偏压过程中容易提前发生雪崩击穿，从而容易降低终端效率的问题。该肖特基二极管包括终端区域，肖特基二极管包括衬底...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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