【技术实现步骤摘要】
本申请涉及肖特基二极管，具体而言，涉及一种沟槽肖特基二极管及沟槽肖特基二极管的制作方法。
技术介绍
1、沟槽肖特基二极管在肖特基二极管的基础上添加了沟槽结构，不仅可以提高二极管的电流容量和导通能力，还可以减小导通电压的临界值，并提高开关速度，具有更宽的安全工作范围。
2、然而，相关技术中沟槽肖特基二极管在产品反向偏压过程中容易提前发生雪崩击穿，从而容易降低终端效率。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种沟槽肖特基二极管及沟槽肖特基二极管的制作方法，旨在解决现有技术中沟槽肖特基二极管在产品反向偏压过程中容易提前发生雪崩击穿，从而容易降低终端效率的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种沟槽肖特基二极管，所述肖特基二极管包括终端区域，所述肖特基二极管包括：
3、衬底；
4、外延层，所述外延层包括外延本体部以及位于所述外延本体部远离所述衬底一侧的保护部，所述保护部位于所述终端区域，所述保护部用于防止位于所述终端区域的外延本体部
【技术保护点】
1.一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括终端区域，所述肖特基二极管包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述外延本体部远离所述衬底的一侧设有多个沟槽，所述沟槽在所述衬底上的正投影形状包括圆形或多边形；
3.根据权利要求2所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，当所述沟槽在所述衬底上的正投影形状为圆形时，相邻三个所述沟槽在所述衬底上的正投影的中心之间的连线组成的图案的形状包括直边三角形或等腰三角形。
4.根据权利要求3所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，当相邻三个所述沟槽在所述衬底上的正投影的中心...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括终端区域，所述肖特基二极管包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述外延本体部远离所述衬底的一侧设有多个沟槽，所述沟槽在所述衬底上的正投影形状包括圆形或多边形；
3.根据权利要求2所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，当所述沟槽在所述衬底上的正投影形状为圆形时，相邻三个所述沟槽在所述衬底上的正投影的中心之间的连线组成的图案的形状包括直边三角形或等腰三角形。
4.根据权利要求3所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，当相邻三个所述沟槽在所述衬底上的正投影的中心之间的连线组成的图案的形状为等腰三角形时，沿第一方向，相邻两个所述沟槽在所述衬底上的正投影边缘之间的最小距离大于或等于1μm，且小于或等于3μm；
5.根据权利要求3所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，当相邻三个所述沟槽在所述衬底上的正投影的中心之间的连线组成的图案的形状为直角三角形时，沿第...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴勐，贾旭初，麻建国，李大喆，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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