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本发明提供一种双自对准MOSFET的制造方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，利用离子注入在外延层上形成阱区，在阱区上形成掩模层；打开有源区和栅极引出区上的掩模层以在其上形成凹槽，之后在凹槽的侧壁上形成第一侧墙，利用掩模层和第一侧墙为掩模刻蚀...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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