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本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该LED芯片包括衬底、外延层与芯片层，芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，电极层包括N型电极与P型电极；其中，电流阻挡层设于P型半导体层之上，电流阻挡层为非连续性...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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